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■スーパージャンクションMOSFET(>600V,>650V)
特長: 低オン抵抗 超低ゲート電荷量 耐高dv/dt特性 高UIS特性 耐高ピーク電流特性 増相互コンダクタンス特性
アプリケーション: 産業用電源、充電器 データセンター、サーバー、クラウド、PC、Tablet 屋内外の電灯 : HID 、LED電灯 LED TV Driver ,動力電源 太陽光発電 HV,EV 充電器
■技術シリコン基板の製造：ファウンドリーサービス SOI、SiSi 、MEMS、 DSOI、 CSOI、Thin SOI, TSOI
IceMOS SJ MOSFET
スーパージャンクション MOSFET は、ほとんどの電源アプリケーションに適用可能で
省エネを促進する重要なデバイスです。
『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧の
スーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。
シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、
世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。
MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、
より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのある
MOSFETをご提供いたします。
【特長】
■高耐圧600V以上
■耐高dv/dt
■高耐アバランシェ特性
■高ピーク電流特性
■増相互コンダクタンス特性 など
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IceMOS SJ MOSFET
『ICE47N60W N-チャンネル・デバイス』は、IceMOSで評判の高いスーパージャンクションMOSFETです。
高パフォーマンス・パワー・システム用に設計され、世界中のAC/DC、DC/DC、およびDC/AC回路などに使用されています。
【特長】
■TO247パッケージ
■低オン抵抗
■超低ゲート電荷重
■耐高dv/dt
■高いUIS特性
■耐高ピーク電流
■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
TO220FullPak といった裏面が絶縁されたタイプで、TO220タイプに比べ、熱抵抗が大きいパッケージの特長となります。
この他にも、最大電流の定格が10A,15A, 25Aといった仕様も取り揃えております。
また、その他のパッケージ
DPAK, D2PAK,TO220,TO247、DFN8x8などもございますので、お気軽にお問合せ下さい。
弊社のHome Pageからも製品のデーターシートはダウンロードできます。
GEN1シリーズ
https://icemostech.com/superjunction-mosfet-gen1.html?sj=Gen1
GEN2シリーズ
https://icemostech.com/superjunction-mosfet-gen2.html?sj=Gen2
SJMOSFETは RoHS2 (2011/65/EU)＋ (EU) 2015/863 を順守し、懸念物質は使われておりません。 （CEマーキング適合、ハロゲンフリー）,REACH準拠や紛争鉱物を使用しないポリシーを持っています。
GEN1は高いUIS特性（アバランシェ耐量に優れている）、低コストがメリットです。
GEN2では低いFOM＝figure of merit (R(DS)ON x QG)が特長です。
アイスモスの『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧の
スーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。
シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、
世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。
MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、
より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのある
MOSFETをご提供いたします。
Contact to:fumikakuramae@icemostech.com
2022 IceMOS SJMOSFET製品カタログ
IceMOS SJ MOSFET
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